IPD90N06S4-04 Todos los transistores

 

IPD90N06S4-04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPD90N06S4-04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1960 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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IPD90N06S4-04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:163K  infineon
 ipd90n06s4-04 ipd90n06s4-04 ds 12.pdf pdf_icon

IPD90N06S4-04

IPD90N06S4-04OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR 3.8mDS(on),maxI 90 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-11 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD90N06S4-04 PG-TO252-3-11 4N0604Maximum ratings, a

 2.1. Size:163K  infineon
 ipd90n06s4-07 ipd90n06s4-07 ds 10.pdf pdf_icon

IPD90N06S4-04

IPD90N06S4-07OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR 6.9mDS(on),maxI 90 ADFeaturesPG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Ultra Low RDSonType Package MarkingIPD90N04S6-07 PG-TO252-3-11

 2.2. Size:163K  infineon
 ipd90n06s4-05 ipd90n06s4-05 ds 10.pdf pdf_icon

IPD90N06S4-04

IPD90N06S4-05OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR 5.1mDS(on),maxI 90 ADFeaturesPG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Ultra Low RDSonType Package MarkingIPD90N04S6-05 PG-TO252-3-11

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 ipd90n06s4l-03 ipd90n06s4l-03 ds 10.pdf pdf_icon

IPD90N06S4-04

IPD90N06S4L-03OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR 3.5mDS(on),maxI 90 ADFeaturesPG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Ultra low RDSonType Package MarkingIPD90N06S4L-03 P

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History: ME2301S-G | IPA060N06N | HFS12N65U | IXFR80N50P | IPD90N06S4-07 | AOW20C60 | PE552BA

 

 
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