IPD053N08N3G Todos los transistores

 

IPD053N08N3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPD053N08N3G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 80 V

Corriente continua de drenaje (Id): 90 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 52 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0053 Ohm

Empaquetado / Estuche: DPAK_TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPD053N08N3G

 

IPD053N08N3G Datasheet (PDF)

1.1. ipd053n08n3 rev1.0.pdf Size:450K _infineon

IPD053N08N3G
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2.1. ipd053n06n3 rev2.0.pdf Size:615K _infineon

IPD053N08N3G
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2.2. ipd053n06n.pdf Size:455K _infineon

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Type IPD053N06N OptiMOSTM Power-Transistor Features Product Summary • Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. VDS 60 V • 100% avalanche tested RDS(on),max 5.3 mW • Superior thermal resistance ID 45 A • N-channel QOSS nC 32 • Qualified according to JEDEC1) for target applications QG(0V..10V) nC 27 • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Hal

Otros transistores... NTD70N03R , NTE4151P , NTE4153N , NTF2955 , NTF3055-100 , NTF3055L108 , NTF5P03T3 , NTF6P02 , IRF740 , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , NTGS3433 , NTGS3441 , NTGS3443 .

 
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