IPD053N08N3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IPD053N08N3G
   Código: 053N08N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 52 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 66 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 963 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0053 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPD053N08N3G

IPD053N08N3G Datasheet (PDF)

..1. Size:345K infineon
ipd053n08n3g.pdf

IPD053N08N3 GOptiMOS3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 80 V N-channel, normal levelRDS(on),max 5.3 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 90 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperatureprevious engineering Pb-free lead plating; RoHS compliantsample code: IPD06CN08N Qualified according to JEDEC1

3.1. Size:450K infineon
ipd053n08n3.pdf

# ! ! #:A0

3.2. Size:243K inchange semiconductor
ipd053n08n3.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD053N08N3,IIPD053N08N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)5.3mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh frequency switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 80

6.1. Size:455K infineon
ipd053n06n.pdf

TypeIPD053N06NOptiMOSTM Power-TransistorFeaturesProduct Summary Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.VDS 60 V 100% avalanche testedRDS(on),max 5.3 mW Superior thermal resistanceID 45 A N-channelQOSS nC 32 Qualified according to JEDEC1) for target applicationsQG(0V..10V) nC 27 Pb-free lead plating; RoHS compliant Hal

6.2. Size:615K infineon
ipd053n06n3.pdf

pe # ! ! #:A03 B53 R m D n) m xQ ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BCI DQ H35>5?B=1

6.3. Size:242K inchange semiconductor
ipd053n06n.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD053N06N, IIPD053N06NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)5.3mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONOptimized for synchronous rectificationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Sou

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: