Справочник MOSFET. IPD053N08N3G

 

IPD053N08N3G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPD053N08N3G
   Маркировка: 053N08N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 52 nC
   trⓘ - Время нарастания: 66 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 963 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для IPD053N08N3G

 

 

IPD053N08N3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:345K  infineon
 ipd053n08n3g.pdf

IPD053N08N3G IPD053N08N3G

IPD053N08N3 GOptiMOS3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 80 V N-channel, normal levelRDS(on),max 5.3 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 90 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperatureprevious engineering Pb-free lead plating; RoHS compliantsample code: IPD06CN08N Qualified according to JEDEC1

 3.1. Size:450K  infineon
 ipd053n08n3.pdf

IPD053N08N3G IPD053N08N3G

# ! ! #:A0

 3.2. Size:243K  inchange semiconductor
 ipd053n08n3.pdf

IPD053N08N3G IPD053N08N3G

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD053N08N3,IIPD053N08N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)5.3mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh frequency switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 80

 6.1. Size:455K  infineon
 ipd053n06n.pdf

IPD053N08N3G IPD053N08N3G

TypeIPD053N06NOptiMOSTM Power-TransistorFeaturesProduct Summary Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.VDS 60 V 100% avalanche testedRDS(on),max 5.3 mW Superior thermal resistanceID 45 A N-channelQOSS nC 32 Qualified according to JEDEC1) for target applicationsQG(0V..10V) nC 27 Pb-free lead plating; RoHS compliant Hal

 6.2. Size:615K  infineon
 ipd053n06n3.pdf

IPD053N08N3G IPD053N08N3G

pe # ! ! #:A03 B53 R m D n) m xQ ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BCI DQ H35>5?B=1

 6.3. Size:242K  inchange semiconductor
 ipd053n06n.pdf

IPD053N08N3G IPD053N08N3G

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD053N06N, IIPD053N06NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)5.3mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONOptimized for synchronous rectificationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Sou

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top