IPD088N06N3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPD088N06N3G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 71 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Corriente continua de drenaje (Id): 50 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 36 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0088 Ohm

Empaquetado / Estuche: DPAK_TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPD088N06N3G

IPD088N06N3G Datasheet (PDF)

1.1. ipd088n06n3 rev2.0.pdf Size:609K _infineon

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2.1. ipd088n04l rev1.0.pdf Size:429K _infineon

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Otros transistores... IPD053N08N3G , IPD060N03LG , IPD068N10N3G , IPD068P03L3G , IPD075N03LG , IPD079N06L3G , IPD082N10N3G , IPD088N04LG , IRF8010 , IPD090N03LG , IPD096N08N3G , IPD105N03LG , IPD105N04LG , IPD110N12N3G , IPD122N10N3G , IPD127N06LG , IPD12CN10NG .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: