IPD088N06N3G Todos los transistores

 

IPD088N06N3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPD088N06N3G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 71 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Corriente continua de drenaje (Id): 50 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 36 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0088 Ohm

Empaquetado / Estuche: DPAK_TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPD088N06N3G

 

IPD088N06N3G Datasheet (PDF)

1.1. ipd088n06n3 rev2.0.pdf Size:609K _infineon

IPD088N06N3G
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2.1. ipd088n04l rev1.0.pdf Size:429K _infineon

IPD088N06N3G
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