IPD088N06N3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPD088N06N3G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 71 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Corriente continua de drenaje (Id): 50 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 36 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0088 Ohm

Empaquetado / Estuche: DPAK, TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPD088N06N3G

IPD088N06N3G Datasheet (PDF)

1.1. ipd088n06n3 rev2.0.pdf Size:609K _infineon

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1.2. ipd088n06n3g.pdf Size:210K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IPD088N06N3G ·FEATURES ·With TO-252(DPAK) packaging ·With low gate drive requirements ·Very high commutation ruggedness ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·APPLICATIONS ·Switching applications ·LCD&PDP TV ·PC silverbox ·UPS and solar ·ABSOLUTE

2.1. ipd088n04l rev1.0.pdf Size:429K _infineon

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Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

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