IPD110N12N3G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPD110N12N3G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 120 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 408 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm

Encapsulados: TO252

 Búsqueda de reemplazo de IPD110N12N3G MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IPD110N12N3G datasheet

 3.1. Size:587K  infineon
 ipds110n12n3g ips110n12n3g ips110n12n3 ipd110n12n3.pdf pdf_icon

IPD110N12N3G

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOS Power-Transistor, 120V OptiMOS 3 Power-Transistor IPD_S110N12N3 G Data Sheet Rev. 2.4 Final Industrial & Multimarket IPD110N12N3 G IPS110N12N3 G OptiMOSTM3Power-Transistor Product Summary Features VDS 120 V N-channel, normal level RDS(on),max 11 m Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on)

 3.2. Size:242K  inchange semiconductor
 ipd110n12n3.pdf pdf_icon

IPD110N12N3G

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD110N12N3,IIPD110N12N3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 11m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETE

Otros transistores... IPD079N06L3G, IPD082N10N3G, IPD088N04LG, IPD088N06N3G, IPD090N03LG, IPD096N08N3G, IPD105N03LG, IPD105N04LG, IRFP064N, IPD122N10N3G, IPD127N06LG, IPD12CN10NG, IPD135N03LG, IPD135N08N3G, IPD144N06NG, IPD160N04LG, IPD16CN10NG