IPD110N12N3G Todos los transistores

 

IPD110N12N3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPD110N12N3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 408 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

IPD110N12N3G Datasheet (PDF)

 3.1. Size:587K  infineon
 ipds110n12n3g ips110n12n3g ips110n12n3 ipd110n12n3.pdf pdf_icon

IPD110N12N3G

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOS Power-Transistor, 120VOptiMOS 3 Power-TransistorIPD_S110N12N3 GData SheetRev. 2.4FinalIndustrial & MultimarketIPD110N12N3 G IPS110N12N3 GOptiMOSTM3Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS 120 V N-channel, normal levelRDS(on),max11m Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)

 3.2. Size:242K  inchange semiconductor
 ipd110n12n3.pdf pdf_icon

IPD110N12N3G

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD110N12N3,IIPD110N12N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)11mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONIdeal for high-frequency switching and synchronous rectificationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETE

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: UF3205G-TA3-T | FDMC7692S | IPW90R340C3 | FDMC8200 | JANSR2N7411 | LSC65R280HT | HM830F

 

 
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