2N6790JANTXV Todos los transistores

 

2N6790JANTXV MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N6790JANTXV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO205AF
 

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2N6790JANTXV datasheet

 8.1. Size:191K  international rectifier
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2N6790JANTXV

PD - 93984A REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRFE220 HEXFET TRANSISTORS JANTX2N6790U SURFACE MOUNT (LCC-18) REF MIL-PRF-19500/555 200V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFE220 100V 0.80 2.8A LCC-18 The leadless chip carrier (LCC) package represents the logical next step in the continual evolution of surface Features mount technology. Desinged t

 8.2. Size:133K  international rectifier
 2n6790 irff220.pdf pdf_icon

2N6790JANTXV

PD - 90427C IRFF220 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6790 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6790 THRU-HOLE (TO-205AF) REF MIL-PRF-19500/555 200V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF220 200V 0.80 3.5A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processin

 8.3. Size:86K  fairchild semi
 2n6790.pdf pdf_icon

2N6790JANTXV

2N6790 Data Sheet December 2001 3.5A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power Features MOSFET 3.5A, 200V The 2N6790 is an N-Channel enhancement mode silicon rDS(ON) = 0.800 gate power MOS field effect transistor designed for SOA is Power Dissipation Limited applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, and drivers for high

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