2N6790JANTXV Todos los transistores

 

2N6790JANTXV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N6790JANTXV

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 20 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 3.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 600 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.8 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO205AF

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N6790JANTXV

 

2N6790JANTXV Datasheet (PDF)

4.1. 2n6790u.pdf Size:191K _update-mosfet

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PD - 93984A REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRFE220 HEXFET®TRANSISTORS JANTX2N6790U SURFACE MOUNT (LCC-18) REF:MIL-PRF-19500/555 200V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFE220 100V 0.80Ω 2.8A LCC-18 The leadless chip carrier (LCC) package represents the logical next step in the continual evolution of surface Features: mount technology. Desinged t

4.2. 2n6790.pdf Size:86K _fairchild_semi

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2N6790 Data Sheet December 2001 3.5A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power Features MOSFET 3.5A, 200V The 2N6790 is an N-Channel enhancement mode silicon rDS(ON) = 0.800? gate power MOS field effect transistor designed for SOA is Power Dissipation Limited applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, and drivers for high Nanosecon

 4.3. 2n6790 irff220.pdf Size:133K _international_rectifier

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PD - 90427C IRFF220 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6790 HEXFET?TRANSISTORS JANTXV2N6790 THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/555 200V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF220 200V 0.80? 3.5A The HEXFET?technology is the key to International Rectifiers advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this l

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