IPD200N15N3G Todos los transistores

 

IPD200N15N3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPD200N15N3G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 150 V

Corriente continua de drenaje (Id): 50 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 23 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.02 Ohm

Empaquetado / Estuche: DPAK_TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPD200N15N3G

 

 

IPD200N15N3G Datasheet (PDF)

No PDF!

Otros transistores... IPD12CN10NG , IPD135N03LG , IPD135N08N3G , IPD144N06NG , IPD160N04LG , IPD16CN10NG , IPD170N04NG , IPD180N10N3G , IRF540N , IPD220N06L3G , IPD230N06LG , IPD230N06NG , IPD250N06N3G , IPD25CN10NG , IPD320N20N3G , IPD33CN10NG , IPD350N06LG .

Back to Top

 


IPD200N15N3G
  IPD200N15N3G
  IPD200N15N3G
  IPD200N15N3G
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: QS8M51 | QS8M13 | QS8M11 | QS8K21 | QS8K2 | QS8K13 | QS8K11 | QS8J5 | QS8J4 | QS8J2 | QS8J13 | QS8J12 | QS8J11 | QS8F2 | QS6U24 |

 

 

Back to Top