IPD200N15N3G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPD200N15N3G  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 214 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: TO252

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IPD200N15N3G datasheet

 ..1. Size:993K  infineon
 ipb200n15n3g ipd200n15n3g ipi200n15n3g ipp200n15n3g ipb200n15n3 ipd200n15n3 ipi200n15n3 ipp200n15n3.pdf pdf_icon

IPD200N15N3G

IPB200N15N3 G IPD200N15N3 G IPI200N15N3 G IPP200N15N3 G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 150 V N-channel, normal level RDS(on),max 20 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 50 A Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for t

 3.1. Size:242K  inchange semiconductor
 ipd200n15n3.pdf pdf_icon

IPD200N15N3G

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD200N15N3,IIPD200N15N3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 20m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High frequency switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 150

Otros transistores... IPD12CN10NG, IPD135N03LG, IPD135N08N3G, IPD144N06NG, IPD160N04LG, IPD16CN10NG, IPD170N04NG, IPD180N10N3G, 50N06, IPD220N06L3G, IPD230N06LG, IPD230N06NG, IPD250N06N3G, IPD25CN10NG, IPD320N20N3G, IPD33CN10NG, IPD350N06LG