IPD220N06L3G Todos los transistores

 

IPD220N06L3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPD220N06L3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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IPD220N06L3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:448K  infineon
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IPD220N06L3G

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 3.1. Size:242K  inchange semiconductor
 ipd220n06l3.pdf pdf_icon

IPD220N06L3G

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD220N06L3,IIPD220N06L3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)22mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh frequency switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 60

 9.1. Size:150K  infineon
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IPD220N06L3G

IPD22N08S2L-50OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 75 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR 50mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 25 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD22N08S2L

Otros transistores... IPD135N03LG , IPD135N08N3G , IPD144N06NG , IPD160N04LG , IPD16CN10NG , IPD170N04NG , IPD180N10N3G , IPD200N15N3G , IRFZ44 , IPD230N06LG , IPD230N06NG , IPD250N06N3G , IPD25CN10NG , IPD320N20N3G , IPD33CN10NG , IPD350N06LG , IPD400N06NG .

History: AP65WN1K5I | TW2203FL-Y | 2SK3117 | CEP16N10 | 2SK2827-01 | FQD5N40TF | 2SK1573

 

 
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