IPD220N06L3G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPD220N06L3G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: TO252

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IPD220N06L3G datasheet

 ..1. Size:448K  infineon
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IPD220N06L3G

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 3.1. Size:242K  inchange semiconductor
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IPD220N06L3G

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD220N06L3,IIPD220N06L3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 22m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High frequency switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 60

 9.1. Size:150K  infineon
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IPD220N06L3G

IPD22N08S2L-50 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Features V 75 V DS N-channel Logic Level - Enhancement mode R 50 m DS(on),max Automotive AEC Q101 qualified I 25 A D MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature PG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPD22N08S2L

Otros transistores... IPD135N03LG, IPD135N08N3G, IPD144N06NG, IPD160N04LG, IPD16CN10NG, IPD170N04NG, IPD180N10N3G, IPD200N15N3G, IRFZ44, IPD230N06LG, IPD230N06NG, IPD250N06N3G, IPD25CN10NG, IPD320N20N3G, IPD33CN10NG, IPD350N06LG, IPD400N06NG