IPD530N15N3G Todos los transistores

 

IPD530N15N3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPD530N15N3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.053 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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IPD530N15N3G Datasheet (PDF)

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IPD530N15N3G

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 ..2. Size:961K  infineon
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IPD530N15N3G

IPB530N15N3 G IPD530N15N3 GIPI530N15N3 G IPP530N15N3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 150 V N-channel, normal levelRDS(on),max 53 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 21 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen Free Qualified according to

 3.1. Size:242K  inchange semiconductor
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IPD530N15N3G

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD530N15N3,IIPD530N15N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)53mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh frequency switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 150

Otros transistores... IPD400N06NG , IPD49CN10NG , IPD50N04S4-08 , IPD50N04S4-10 , IPD50N04S4L-08 , IPD50P04P4L-11 , IPD50R399CP , IPD50R520CP , AON7408 , IPD600N25N3G , IPD60R1K4C6 , IPD60R2K0C6 , IPD60R380C6 , IPD60R385CP , IPD60R3K3C6 , IPD60R450E6 , IPD60R520C6 .

History: STSJ50NH3LL | STSJ25NF3LL | 7NM70L-TM3-T

 

 
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