IPD530N15N3G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPD530N15N3G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.053 Ohm

Encapsulados: TO252

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IPD530N15N3G datasheet

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IPD530N15N3G

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 ..2. Size:961K  infineon
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IPD530N15N3G

IPB530N15N3 G IPD530N15N3 G IPI530N15N3 G IPP530N15N3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 150 V N-channel, normal level RDS(on),max 53 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 21 A Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen Free Qualified according to

 3.1. Size:242K  inchange semiconductor
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IPD530N15N3G

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD530N15N3,IIPD530N15N3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 53m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High frequency switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 150

Otros transistores... IPD400N06NG, IPD49CN10NG, IPD50N04S4-08, IPD50N04S4-10, IPD50N04S4L-08, IPD50P04P4L-11, IPD50R399CP, IPD50R520CP, 7N65, IPD600N25N3G, IPD60R1K4C6, IPD60R2K0C6, IPD60R380C6, IPD60R385CP, IPD60R3K3C6, IPD60R450E6, IPD60R520C6