IPD65R600C6 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IPD65R600C6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPD65R600C6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: TO252

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IPD65R600C6 datasheet

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isc N-Channel MOSFET Transistor IPD65R600C6,IIPD65R600C6 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.6 Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Fast switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 650 V DSS V

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