IPG20N04S4-12 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPG20N04S4-12
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0122 Ohm
Paquete / Cubierta: TDSON84
Búsqueda de reemplazo de IPG20N04S4-12 MOSFET
IPG20N04S4-12 Datasheet (PDF)
ipg20n04s4-12 ipg20n04s4-12 ds 1 0.pdf

IPG20N04S4-12OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDS4)12.2mWRDS(on),maxI 20 ADFeatures Dual N-channel Normal Level - Enhancement modePG-TDSON-8-4 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPG20N04S4-12 PG-TDSON-8-4
ipg20n04s4-18a.pdf

IPG20N04S4-18AOptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS40 VRDS(on),max4)18mWID 2)20 AFeatures Dual N-channel Normal Level - Enhancement modePG-TDSON-8-10 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant)1 100% Avalanche tested8 7 6 5 Feasible for automatic optical inspe
ipg20n04s4-08 ipg20n04s4-08 ds 1 0.pdf

IPG20N04S4-08OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDS4)7.6mWRDS(on),maxI 20 ADFeatures Dual N-channel Normal Level - Enhancement modePG-TDSON-8-4 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPG20N04S4-08 PG-TDSON-8-4 4
ipg20n04s4-09 ipg20n04s4-09 ds 1 0.pdf

IPG20N04S4-09OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDS4)8.6mWRDS(on),maxI 20 ADFeatures Dual N-channel Normal Level - Enhancement modePG-TDSON-8-4 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPG20N04S4-09 PG-TDSON-8-4 4
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History: 2SK1548 | NCE0224 | HSP200N02 | 2SK3424-ZJ | SQ4005EY | MTP10N10 | HD5N50
History: 2SK1548 | NCE0224 | HSP200N02 | 2SK3424-ZJ | SQ4005EY | MTP10N10 | HD5N50



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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