Справочник MOSFET. IPG20N04S4-12

 

IPG20N04S4-12 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPG20N04S4-12
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0122 Ohm
   Тип корпуса: TDSON84
 

 Аналог (замена) для IPG20N04S4-12

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPG20N04S4-12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:159K  infineon
ipg20n04s4-12 ipg20n04s4-12 ds 1 0.pdfpdf_icon

IPG20N04S4-12

IPG20N04S4-12OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDS4)12.2mWRDS(on),maxI 20 ADFeatures Dual N-channel Normal Level - Enhancement modePG-TDSON-8-4 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPG20N04S4-12 PG-TDSON-8-4

 2.1. Size:516K  infineon
ipg20n04s4-18a.pdfpdf_icon

IPG20N04S4-12

IPG20N04S4-18AOptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS40 VRDS(on),max4)18mWID 2)20 AFeatures Dual N-channel Normal Level - Enhancement modePG-TDSON-8-10 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant)1 100% Avalanche tested8 7 6 5 Feasible for automatic optical inspe

 3.1. Size:157K  infineon
ipg20n04s4-08 ipg20n04s4-08 ds 1 0.pdfpdf_icon

IPG20N04S4-12

IPG20N04S4-08OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDS4)7.6mWRDS(on),maxI 20 ADFeatures Dual N-channel Normal Level - Enhancement modePG-TDSON-8-4 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPG20N04S4-08 PG-TDSON-8-4 4

 3.2. Size:141K  infineon
ipg20n04s4-09 ipg20n04s4-09 ds 1 0.pdfpdf_icon

IPG20N04S4-12

IPG20N04S4-09OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDS4)8.6mWRDS(on),maxI 20 ADFeatures Dual N-channel Normal Level - Enhancement modePG-TDSON-8-4 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPG20N04S4-09 PG-TDSON-8-4 4

Другие MOSFET... IPD800N06NG , IPD90N04S4-02 , IPD90N04S4-03 , IPD90N04S4-05 , IPD90P04P4-05 , IPD90R1K2C3 , IPG20N04S4-08 , IPG20N04S4-09 , 18N50 , IPG20N04S4L-07 , IPG20N04S4L-08 , IPG20N04S4L-11 , IPG20N06S2L-35 , IPG20N06S2L-50 , IPG20N06S2L-65 , IPG20N06S4-15 , IPG20N06S4L-11 .

History: PTA04N100 | SQM120N02-1M3L | IRFNG40 | FIR120N055PG | ST2342 | RUH1H150S-AR | SM1A11NSF

 

 
Back to Top

 


 
.