IPG20N04S4-12. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPG20N04S4-12

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0122 Ohm

Тип корпуса: TDSON84

Аналог (замена) для IPG20N04S4-12

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPG20N04S4-12 даташит

 ..1. Size:159K  infineon
 ipg20n04s4-12 ipg20n04s4-12 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPG20N04S4-12

IPG20N04S4-12 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 40 V DS 4) 12.2 mW R DS(on),max I 20 A D Features Dual N-channel Normal Level - Enhancement mode PG-TDSON-8-4 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPG20N04S4-12 PG-TDSON-8-4

 2.1. Size:516K  infineon
 ipg20n04s4-18a.pdf pdf_icon

IPG20N04S4-12

IPG20N04S4-18A OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary VDS 40 V RDS(on),max4) 18 mW ID 2) 20 A Features Dual N-channel Normal Level - Enhancement mode PG-TDSON-8-10 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 1 100% Avalanche tested 8 7 6 5 Feasible for automatic optical inspe

 3.1. Size:157K  infineon
 ipg20n04s4-08 ipg20n04s4-08 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPG20N04S4-12

IPG20N04S4-08 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 40 V DS 4) 7.6 mW R DS(on),max I 20 A D Features Dual N-channel Normal Level - Enhancement mode PG-TDSON-8-4 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPG20N04S4-08 PG-TDSON-8-4 4

 3.2. Size:141K  infineon
 ipg20n04s4-09 ipg20n04s4-09 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPG20N04S4-12

IPG20N04S4-09 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 40 V DS 4) 8.6 mW R DS(on),max I 20 A D Features Dual N-channel Normal Level - Enhancement mode PG-TDSON-8-4 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPG20N04S4-09 PG-TDSON-8-4 4

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPD800N06NG, IPD90N04S4-02, IPD90N04S4-03, IPD90N04S4-05, IPD90P04P4-05, IPD90R1K2C3, IPG20N04S4-08, IPG20N04S4-09, BS170, IPG20N04S4L-07, IPG20N04S4L-08, IPG20N04S4L-11, IPG20N06S2L-35, IPG20N06S2L-50, IPG20N06S2L-65, IPG20N06S4-15, IPG20N06S4L-11