IPG20N06S2L-35 Todos los transistores

 

IPG20N06S2L-35 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPG20N06S2L-35
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON84
     - Selección de transistores por parámetros

 

IPG20N06S2L-35 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:162K  infineon
 ipg20n06s2l-35 ipg20n06s2l-35 ds 10.pdf pdf_icon

IPG20N06S2L-35

IPG20N06S2L-35OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryV 55 VDS4)35mRDS(on),maxI 20 ADFeatures Dual N-channel Logic Level - Enhancement modePG-TDSON-8-4 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPG20N06S2L-35 PG-TDSON-8-4 2N0

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IPG20N06S2L-35

IPG20N06S2L-65AOptiMOS Power-TransistorProduct SummaryVDS55 VRDS(on),max3)65mID20 AFeatures Dual N-channel Logic Level - Enhancement modePG-TDSON-8-10 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Feasible for automatic optical inspection (AOI)Type

 2.2. Size:196K  infineon
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IPG20N06S2L-35

IPG20N06S2L-50AOptiMOS Power-TransistorProduct SummaryVDS 55 VRDS(on),max4) 50mID 20 AFeatures Dual N-channel Logic Level - Enhancement modePG-TDSON-8-10 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Feasible for automatic optical inspection (AOI)Type Pac

 2.3. Size:162K  infineon
 ipg20n06s2l-65 ipg20n06s2l-65 ds 10.pdf pdf_icon

IPG20N06S2L-35

IPG20N06S2L-65OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryV 55 VDS3)65mRDS(on),maxI 20 ADFeatures Dual N-channel Logic Level - Enhancement modePG-TDSON-8-4 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPG20N06S2L-65 PG-TDSON-8-4 2N0

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History: IPI200N15N3 | GSM2341 | RRL025P03 | IPD60R600E6 | WSF3040 | BSS123A | HUFA76423D3S

 

 
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