IPG20N06S2L-35 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: IPG20N06S2L-35 📄📄
Маркировка: 2N06L35
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 18 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
Тип корпуса: TDSON84
📄📄 Копировать ⓘ
Аналог (замена) для IPG20N06S2L-35
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IPG20N06S2L-35 даташит
ipg20n06s2l-35 ipg20n06s2l-35 ds 10.pdf
IPG20N06S2L-35 OptiMOS Power-Transistor Product Summary V 55 V DS 4) 35 m R DS(on),max I 20 A D Features Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode PG-TDSON-8-4 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPG20N06S2L-35 PG-TDSON-8-4 2N0
ipg20n06s2l-65a.pdf
IPG20N06S2L-65A OptiMOS Power-Transistor Product Summary VDS 55 V RDS(on),max3) 65 m ID 20 A Features Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode PG-TDSON-8-10 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Feasible for automatic optical inspection (AOI) Type
ipg20n06s2l-50a.pdf
IPG20N06S2L-50A OptiMOS Power-Transistor Product Summary VDS 55 V RDS(on),max4) 50 m ID 20 A Features Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode PG-TDSON-8-10 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Feasible for automatic optical inspection (AOI) Type Pac
ipg20n06s2l-65 ipg20n06s2l-65 ds 10.pdf
IPG20N06S2L-65 OptiMOS Power-Transistor Product Summary V 55 V DS 3) 65 m R DS(on),max I 20 A D Features Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode PG-TDSON-8-4 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPG20N06S2L-65 PG-TDSON-8-4 2N0
Другие IGBT... IPD90P04P4-05, IPD90R1K2C3, IPG20N04S4-08, IPG20N04S4-09, IPG20N04S4-12, IPG20N04S4L-07, IPG20N04S4L-08, IPG20N04S4L-11, 2SK3568, IPG20N06S2L-50, IPG20N06S2L-65, IPG20N06S4-15, IPG20N06S4L-11, IPG20N06S4L-14, IPG20N06S4L-26, IPI100N04S3-03, IPI100N08S2-07
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q | ASDM30N120Q | ASDM30N120KQ | ASDM30N100KQ | ASDM30DN40E | ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60
Popular searches
a1491 transistor | 2sc897 | 2sa818 | 2sa763 | a933 | 2sa818 replacement | irfb3607 datasheet | 2n2907 equivalent





