IPG20N06S4L-11 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IPG20N06S4L-11
   Código: 4N06L11
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 41 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 720 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0112 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON84

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPG20N06S4L-11

IPG20N06S4L-11 Datasheet (PDF)

..1. Size:157K infineon
ipg20n06s4l-11 ds 1 0.pdf

IPG20N06S4L-11OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDS4)11.2mWRDS(on),maxI 20 ADFeatures Dual N-channel Logic Level - Enhancement modePG-TDSON-8-4 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPG20N06S4L-11 PG-TDSON-8-4

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IPG20N06S4L-11AOptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 60 VRDS(on),max4) 11.2mWID 20 AFeatures Dual N-channel Logic Level - Enhancement modePG-TDSON-8-10 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Feasible for automatic optical inspection (AOI)Typ

1.1. Size:158K infineon
ipg20n06s4l-14 ipg20n06s4l-14 ds 1 0.pdf

IPG20N06S4L-14OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDS4)13.7mWRDS(on),maxI 20 ADFeatures Dual N-channel Logic Level - Enhancement modePG-TDSON-8-4 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPG20N06S4L-14 PG-TDSON-8-4

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IPG20N06S4L-26AOptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 60 VRDS(on),max4) 26mID 20 AFeatures Dual N-channel Logic Level - Enhancement modePG-TDSON-8-10 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Feasible for automatic optical inspection (AOI)Type

2.2. Size:144K infineon
ipg20n06s4l-26 ipg20n06s4l-26 ds 1 0.pdf

IPG20N06S4L-26OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDS4)26mWRDS(on),maxI 20 ADFeatures Dual N-channel Logic Level - Enhancement modePG-TDSON-8-4 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPG20N06S4L-26 PG-TDSON-8-4 4

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: