APT8030JN Todos los transistores

 

APT8030JN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APT8030JN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 520 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 800 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 27 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 245 nC

Tiempo de elevación (tr): 14 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 725 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.3 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT227

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APT8030JN Datasheet (PDF)

1.1. apt8030jn.pdf Size:61K _apt

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D G APT8030JN 800V 27.0A 0.30Ω S APT8035JN 800V 25.0A 0.35Ω ISOTOP® "UL Recognized" File No. E145592 (S) POWER MOS IV® SINGLE DIE ISOTOP® PACKAGE N- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS MAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25°C unless otherwise specified. APT APT Symbol Parameter 8030JN 8035JN UNIT VDSS Drain-Source Voltage 800 800 Volts ID Continuous Drain Cu

2.1. apt8030jvr.pdf Size:67K _apt

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APT8030JVR 800V 25A 0.300Ω POWER MOS V® Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. "UL Recognized" ISOTOP® • Faster Switching • 100% Avalanche T

2.2. apt8030jvfr.pdf Size:70K _apt

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APT8030JVFR 800V 25A 0.300Ω FREDFET POWER MOS V® Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. "UL Recognized" ISOTOP® • Fast Recovery Body Diode

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