IPI023NE7N3G Todos los transistores

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IPI023NE7N3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPI023NE7N3G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 300 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 75 V

Corriente continua de drenaje (Id): 100 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0023 Ohm

Empaquetado / Estuche: I2PAK_TO262

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IPI023NE7N3G Datasheet (PDF)

1.1. ipp023ne7n3 ipi023ne7n3 rev211.pdf Size:846K _infineon

IPI023NE7N3G
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