IPI028N08N3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPI028N08N3G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 73 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2890 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm
Paquete / Cubierta: TO262
Búsqueda de reemplazo de IPI028N08N3G MOSFET
IPI028N08N3G Datasheet (PDF)
ipp028n08n3g ipi028n08n3g.pdf

IPP028N08N3 G IPI028N08N3 GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 80 VDS N-channel, normal levelR 2.8mDS(on),max Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 100 AD Very low on-resistance RDS(on)previous engineering 175 C operating temperaturesample codes:IPP02CN08N Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified ac
ipp023ne7n3g ipi023ne7n3g.pdf

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ipi020n06n.pdf

TypeIPI020N06NOptiMOSTM Power-TransistorFeaturesProduct Summary Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.VDS 60 V 100% avalanche testedRDS(on),max 2.0 mW Superior thermal resistanceID 120 A N-channelQOSS nC 119 Qualified according to JEDEC1) for target applicationsQG(0V..10V) nC 106 Pb-free lead plating; RoHS compliant
Otros transistores... IPI80N08S2-07 , IPI80P03P4L-04 , IPI80P03P4L-07 , IPI90N04S4-02 , IPI90N06S4-04 , IPI90N06S4L-04 , IPI023NE7N3G , IPI024N06N3G , IRFP260N , IPI030N10N3G , IPI032N06N3G , IPI034NE7N3G , IPI037N06L3G , IPI037N08N3G , IPI040N06N3G , IPI041N12N3G , IPI045N10N3G .



Liste
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