IPI028N08N3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPI028N08N3G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 73 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2890 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для IPI028N08N3G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPI028N08N3G даташит

 ..1. Size:457K  1
ipp028n08n3g ipi028n08n3g.pdfpdf_icon

IPI028N08N3G

IPP028N08N3 G IPI028N08N3 G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features V 80 V DS N-channel, normal level R 2.8 m DS(on),max Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) I 100 A D Very low on-resistance R DS(on) previous engineering 175 C operating temperature sample codes IPP02CN08N Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified ac

 ..2. Size:840K  infineon
ipp028n08n3 ipp028n08n3g ipi028n08n3g.pdfpdf_icon

IPI028N08N3G

## ! ! # ! ! # A0

 9.1. Size:836K  infineon
ipp023ne7n3g ipi023ne7n3g.pdfpdf_icon

IPI028N08N3G

## ! ! # ! ! TM # A0 m D n) m x Q #4513I CG9D389>7 1>4 3?>F5BD5BC 1 D Q H35

 9.2. Size:580K  infineon
ipi020n06n.pdfpdf_icon

IPI028N08N3G

Type IPI020N06N OptiMOSTM Power-Transistor Features Product Summary Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. VDS 60 V 100% avalanche tested RDS(on),max 2.0 mW Superior thermal resistance ID 120 A N-channel QOSS nC 119 Qualified according to JEDEC1) for target applications QG(0V..10V) nC 106 Pb-free lead plating; RoHS compliant

Другие IGBT... IPI80N08S2-07, IPI80P03P4L-04, IPI80P03P4L-07, IPI90N04S4-02, IPI90N06S4-04, IPI90N06S4L-04, IPI023NE7N3G, IPI024N06N3G, IRLZ44N, IPI030N10N3G, IPI032N06N3G, IPI034NE7N3G, IPI037N06L3G, IPI037N08N3G, IPI040N06N3G, IPI041N12N3G, IPI045N10N3G