IPI028N08N3G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IPI028N08N3G
Маркировка: 028N08N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 155 nC
Время нарастания (tr): 73 ns
Выходная емкость (Cd): 2890 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0028 Ohm
Тип корпуса: TO262
Аналог (замена) для IPI028N08N3G
IPI028N08N3G Datasheet (PDF)
ipp028n08n3g ipi028n08n3g.pdf
IPP028N08N3 G IPI028N08N3 GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 80 VDS N-channel, normal levelR 2.8mDS(on),max Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 100 AD Very low on-resistance RDS(on)previous engineering 175 C operating temperaturesample codes:IPP02CN08N Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified ac
ipp023ne7n3g ipi023ne7n3g.pdf
## ! ! # ! ! TM #:A0 m D n) m xQ #4513I CG9D389>7 1>4 3?>F5BD5BC 1 DQ H35
ipi020n06n.pdf
TypeIPI020N06NOptiMOSTM Power-TransistorFeaturesProduct Summary Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.VDS 60 V 100% avalanche testedRDS(on),max 2.0 mW Superior thermal resistanceID 120 A N-channelQOSS nC 119 Qualified according to JEDEC1) for target applicationsQG(0V..10V) nC 106 Pb-free lead plating; RoHS compliant
ipp024n06n3g ipb021n06n3g ipi024n06n3g.pdf
pe IPB021N06N3 G IPI024N06N3 GIPP024N06N3 G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV D Q #4513I CG9D389>7 1>4 CI>3 B53 R 1 m , ?> =1H ,& Q ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BCI 1 DQ H35
ipb021n06n3g ipi024n06n3g ipp024n06n3g.pdf
Type IPB021N06N3 G IPI024N06N3 GIPP024N06N3 GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 60 VDS Ideal for high frequency switching and sync. rec.R 2.1mDS(on),max (SMD) Optimized technology for DC/DC convertersI 120 AD Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) N-channel, normal level 100% avalanch
ipi029n06n.pdf
TypeIPI029N06NOptiMOSTM Power-TransistorFeaturesProduct Summary Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.VDS 60 V 100% avalanche testedRDS(on),max 2.9 mW Superior thermal resistanceID 100 A N-channelQOSS nC 65 Qualified according to JEDEC1) for target applicationsQG(0V..10V) nC 56 Pb-free lead plating; RoHS compliant Ha
ipp023ne7n3 ipi023ne7n31.pdf
## ! ! # ! ! TM #:A0 m D n) m xQ #4513I CG9D389>7 1>4 3?>F5BD5BC 1 DQ H35
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
