IPI530N15N3G Todos los transistores

 

IPI530N15N3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPI530N15N3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.053 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262
 

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IPI530N15N3G Datasheet (PDF)

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IPI530N15N3G

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 ..2. Size:961K  infineon
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IPI530N15N3G

IPB530N15N3 G IPD530N15N3 GIPI530N15N3 G IPP530N15N3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 150 V N-channel, normal levelRDS(on),max 53 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 21 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen Free Qualified according to

 3.1. Size:287K  inchange semiconductor
 ipi530n15n3.pdf pdf_icon

IPI530N15N3G

isc N-Channel MOSFET Transistor IPI530N15N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 53mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONIdeal for high-frequency switching and synchronous rectificationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMB

Otros transistores... IPI50CN10NG , IPI50R140CP , IPI50R199CP , IPI50R250CP , IPI50R299CP , IPI50R350CP , IPI50R380CE , IPI50R399CP , 20N50 , IPI600N25N3G , IPI60R099CP , IPI60R099CPA , IPI60R125CP , IPI60R165CP , IPI60R190C6 , IPI60R199CP , IPI60R250CP .

History: IPD60R2K1CE | IRF5YZ48CM | AP6982GM | IPD50R800CE | H5N5006FM | FDS8984-NL | ME7890ED-G

 

 
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