IPI530N15N3G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPI530N15N3G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.053 Ohm

Encapsulados: TO262

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IPI530N15N3G datasheet

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IPI530N15N3G

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 ..2. Size:961K  infineon
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IPI530N15N3G

IPB530N15N3 G IPD530N15N3 G IPI530N15N3 G IPP530N15N3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 150 V N-channel, normal level RDS(on),max 53 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 21 A Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen Free Qualified according to

 3.1. Size:287K  inchange semiconductor
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IPI530N15N3G

isc N-Channel MOSFET Transistor IPI530N15N3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 53m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMB

Otros transistores... IPI50CN10NG, IPI50R140CP, IPI50R199CP, IPI50R250CP, IPI50R299CP, IPI50R350CP, IPI50R380CE, IPI50R399CP, STP80NF70, IPI600N25N3G, IPI60R099CP, IPI60R099CPA, IPI60R125CP, IPI60R165CP, IPI60R190C6, IPI60R199CP, IPI60R250CP