IPI60R199CP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPI60R199CP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 139 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.199 Ohm

Encapsulados: TO262

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IPI60R199CP datasheet

 ..1. Size:544K  infineon
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IPI60R199CP

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 ..2. Size:286K  inchange semiconductor
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IPI60R199CP

isc N-Channel MOSFET Transistor IPI60R199CP FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.199 Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Ultra low gate charge High peak current capability ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAM

 0.1. Size:550K  infineon
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IPI60R199CP

IPI60R199CP C IMOS # A0 9 for industrial grade applications 688DF9>CC6CH; Halogen free mold compound PG TO262 7!"% #

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IPI60R199CP

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS C6 600V CoolMOS C6 Power Transistor IPx60R190C6 Data Sheet Rev. 2.1, 2010-02-09 Final Industrial & Multimarket 600V CoolMOS C6 Power Transistor IPA60R190C6, IPB60R190C6 IPI60R190C6, IPP60R190C6 IPW60R190C6 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according

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