IPI60R250CP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPI60R250CP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
Encapsulados: TO262
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IPI60R250CP datasheet
ipi60r250cp.pdf
IPI60R250CP C IMOSTM # A0 9 for industrial grade applications 688DF9>CC6CH; Halogen free mold compound
ipi60r250cp.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IPI60R250CP FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.25 Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Ultra low gate charge High peak current capability ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAME
ipi60r299cp.pdf
IPI60R299CP C IMOSTM # A0 9 for industrial grade applications 688DF9>CC6CH; Halogen free mold compound PG TO262 7!"%
Otros transistores... IPI530N15N3G, IPI600N25N3G, IPI60R099CP, IPI60R099CPA, IPI60R125CP, IPI60R165CP, IPI60R190C6, IPI60R199CP, 2SK3568, IPI60R280C6, IPI60R299CP, IPI60R380C6, IPI60R385CP, IPI60R520CP, IPI60R600CP, IPI65R280C6, IPI65R380C6
History: FDPF8N50NZT
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Liste
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