Справочник MOSFET. IPI60R250CP

 

IPI60R250CP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPI60R250CP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для IPI60R250CP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPI60R250CP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:556K  infineon
 ipi60r250cp.pdf pdf_icon

IPI60R250CP

IPI60R250CPCIMOSTM #:A0:9 for industrial grade applications 688DF9>CC6CH; Halogen free mold compound ::

 ..2. Size:287K  inchange semiconductor
 ipi60r250cp.pdf pdf_icon

IPI60R250CP

isc N-Channel MOSFET Transistor IPI60R250CPFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.25Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONUltra low gate chargeHigh peak current capabilityABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAME

 7.1. Size:1432K  infineon
 ipi60r280c6.pdf pdf_icon

IPI60R250CP

MOSFET+ =L9D - PA

 7.2. Size:556K  infineon
 ipi60r299cp.pdf pdf_icon

IPI60R250CP

IPI60R299CPCIMOSTM #:A0:9 for industrial grade applications 688DF9>CC6CH; Halogen free mold compoundPGTO262 ::7!"%

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPI530N15N3G , IPI600N25N3G , IPI60R099CP , IPI60R099CPA , IPI60R125CP , IPI60R165CP , IPI60R190C6 , IPI60R199CP , 5N65 , IPI60R280C6 , IPI60R299CP , IPI60R380C6 , IPI60R385CP , IPI60R520CP , IPI60R600CP , IPI65R280C6 , IPI65R380C6 .

History: STP7NK40Z | SFW025N100I3 | HM3400PR | RJU002N06 | WMO15N60C4 | CS90N03B3 | VIS30023

 

 
Back to Top

 


 
.