Справочник MOSFET. IPI60R250CP

 

IPI60R250CP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPI60R250CP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO262
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPI60R250CP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:556K  infineon
 ipi60r250cp.pdf pdf_icon

IPI60R250CP

IPI60R250CPCIMOSTM #:A0:9 for industrial grade applications 688DF9>CC6CH; Halogen free mold compound ::

 ..2. Size:287K  inchange semiconductor
 ipi60r250cp.pdf pdf_icon

IPI60R250CP

isc N-Channel MOSFET Transistor IPI60R250CPFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.25Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONUltra low gate chargeHigh peak current capabilityABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAME

 7.1. Size:1432K  infineon
 ipi60r280c6.pdf pdf_icon

IPI60R250CP

MOSFET+ =L9D - PA

 7.2. Size:556K  infineon
 ipi60r299cp.pdf pdf_icon

IPI60R250CP

IPI60R299CPCIMOSTM #:A0:9 for industrial grade applications 688DF9>CC6CH; Halogen free mold compoundPGTO262 ::7!"%

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: APL602J | TK3A60DA | BSS214NW | 2SK2723 | 2SK2725

 

 
Back to Top

 


 
.