IPI60R299CP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPI60R299CP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.299 Ohm

Encapsulados: TO262

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IPI60R299CP datasheet

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IPI60R299CP

IPI60R299CP C IMOSTM # A0 9 for industrial grade applications 688DF9>CC6CH; Halogen free mold compound PG TO262 7!"%

 ..2. Size:287K  inchange semiconductor
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IPI60R299CP

isc N-Channel MOSFET Transistor IPI60R299CP FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.299 Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Ultra low gate charge High peak current capability ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAM

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IPI60R299CP

MOSFET + =L9D - PA

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IPI60R299CP

IPI60R250CP C IMOSTM # A0 9 for industrial grade applications 688DF9>CC6CH; Halogen free mold compound

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