IPI60R299CP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPI60R299CP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.299 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для IPI60R299CP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPI60R299CP даташит

 ..1. Size:556K  infineon
 ipi60r299cp.pdf pdf_icon

IPI60R299CP

IPI60R299CP C IMOSTM # A0 9 for industrial grade applications 688DF9>CC6CH; Halogen free mold compound PG TO262 7!"%

 ..2. Size:287K  inchange semiconductor
 ipi60r299cp.pdf pdf_icon

IPI60R299CP

isc N-Channel MOSFET Transistor IPI60R299CP FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.299 Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Ultra low gate charge High peak current capability ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAM

 7.1. Size:1432K  infineon
 ipi60r280c6.pdf pdf_icon

IPI60R299CP

MOSFET + =L9D - PA

 7.2. Size:556K  infineon
 ipi60r250cp.pdf pdf_icon

IPI60R299CP

IPI60R250CP C IMOSTM # A0 9 for industrial grade applications 688DF9>CC6CH; Halogen free mold compound

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPI60R099CP, IPI60R099CPA, IPI60R125CP, IPI60R165CP, IPI60R190C6, IPI60R199CP, IPI60R250CP, IPI60R280C6, 5N60, IPI60R380C6, IPI60R385CP, IPI60R520CP, IPI60R600CP, IPI65R280C6, IPI65R380C6, IPI65R600C6, IPI65R660CFD