IPI60R299CP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IPI60R299CP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.299 Ohm
Тип корпуса: TO262
Аналог (замена) для IPI60R299CP
IPI60R299CP Datasheet (PDF)
ipi60r299cp.pdf

IPI60R299CPCIMOSTM #:A0:9 for industrial grade applications 688DF9>CC6CH; Halogen free mold compoundPGTO262 ::7!"%
ipi60r299cp.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IPI60R299CPFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.299Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONUltra low gate chargeHigh peak current capabilityABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAM
ipi60r250cp.pdf

IPI60R250CPCIMOSTM #:A0:9 for industrial grade applications 688DF9>CC6CH; Halogen free mold compound ::
Другие MOSFET... IPI60R099CP , IPI60R099CPA , IPI60R125CP , IPI60R165CP , IPI60R190C6 , IPI60R199CP , IPI60R250CP , IPI60R280C6 , 13N50 , IPI60R380C6 , IPI60R385CP , IPI60R520CP , IPI60R600CP , IPI65R280C6 , IPI65R380C6 , IPI65R600C6 , IPI65R660CFD .
History: HUF75545S3ST | BUK453-100B | BSS138C3
History: HUF75545S3ST | BUK453-100B | BSS138C3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement