Справочник MOSFET. IPI60R299CP

 

IPI60R299CP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPI60R299CP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.299 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для IPI60R299CP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPI60R299CP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:556K  infineon
 ipi60r299cp.pdf pdf_icon

IPI60R299CP

IPI60R299CPCIMOSTM #:A0:9 for industrial grade applications 688DF9>CC6CH; Halogen free mold compoundPGTO262 ::7!"%

 ..2. Size:287K  inchange semiconductor
 ipi60r299cp.pdf pdf_icon

IPI60R299CP

isc N-Channel MOSFET Transistor IPI60R299CPFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.299Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONUltra low gate chargeHigh peak current capabilityABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAM

 7.1. Size:1432K  infineon
 ipi60r280c6.pdf pdf_icon

IPI60R299CP

MOSFET+ =L9D - PA

 7.2. Size:556K  infineon
 ipi60r250cp.pdf pdf_icon

IPI60R299CP

IPI60R250CPCIMOSTM #:A0:9 for industrial grade applications 688DF9>CC6CH; Halogen free mold compound ::

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPI60R099CP , IPI60R099CPA , IPI60R125CP , IPI60R165CP , IPI60R190C6 , IPI60R199CP , IPI60R250CP , IPI60R280C6 , 13N50 , IPI60R380C6 , IPI60R385CP , IPI60R520CP , IPI60R600CP , IPI65R280C6 , IPI65R380C6 , IPI65R600C6 , IPI65R660CFD .

History: STB12NK80ZT4 | HUF75545S3ST

 

 
Back to Top

 


 
.