IPP100N08S2-07 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IPP100N08S2-07
   Código: PN0807
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 144 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0071 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPP100N08S2-07

IPP100N08S2-07 Datasheet (PDF)

..1. Size:158K infineon
ipb100n08s2-07 ipp100n08s2-07 ipi100n08s2-07 ipp100n08s2-07 ipb100n08s2-07 ipi100n08s2-07.pdf

IPB100N08S2-07IPP100N08S2-07, IPI100N08S2-07OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 75 VDS N-channel - Enhancement modeR (SMD version) 6.8mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 100 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 PG-TO262-3-1 Green package (lead free) Ultra low Rds(on)

3.1. Size:154K infineon
ipb100n08s2l-07 ipp100n08s2l-07 ipp100n08s2l-07 ipb100n08s2l-07.pdf

IPB100N08S2L-07IPP100N08S2L-07OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 75 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR (SMD version) 6.5mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 100 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avala

5.1. Size:1010K infineon
ipp100n08n3g ipi100n08n3g ipb097n08n3g ipp100n08n3 ipi100n08n3 ipb097n08n3.pdf

IPP100N08N3 G IPI100N08N3 GIPB097N08N3 G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV D Q #4513I CG9D389>7 1>4 CI>3 B53 R 7 m , ?> =1H ,& Q ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BCI 7 DQ H35>5?B=1

5.2. Size:245K inchange semiconductor
ipp100n08n3.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP100N08N3IIPP100N08N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 9.7mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: