Справочник MOSFET. IPP100N08S2-07

 

IPP100N08S2-07 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPP100N08S2-07
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0071 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для IPP100N08S2-07

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPP100N08S2-07 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:158K  infineon
 ipb100n08s2-07 ipp100n08s2-07 ipi100n08s2-07 ipp100n08s2-07 ipb100n08s2-07 ipi100n08s2-07.pdf pdf_icon

IPP100N08S2-07

IPB100N08S2-07IPP100N08S2-07, IPI100N08S2-07OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 75 VDS N-channel - Enhancement modeR (SMD version) 6.8mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 100 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 PG-TO262-3-1 Green package (lead free) Ultra low Rds(on)

 3.1. Size:154K  infineon
 ipb100n08s2l-07 ipp100n08s2l-07 ipp100n08s2l-07 ipb100n08s2l-07.pdf pdf_icon

IPP100N08S2-07

IPB100N08S2L-07IPP100N08S2L-07OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 75 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR (SMD version) 6.5mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 100 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avala

 5.1. Size:1010K  infineon
 ipp100n08n3g ipi100n08n3g ipb097n08n3g ipp100n08n3 ipi100n08n3 ipb097n08n3.pdf pdf_icon

IPP100N08S2-07

IPP100N08N3 G IPI100N08N3 GIPB097N08N3 G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV D Q #4513I CG9D389>7 1>4 CI>3 B53 R 7 m , ?> =1H ,& Q ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BCI 7 DQ H35>5?B=1

 5.2. Size:245K  inchange semiconductor
 ipp100n08n3.pdf pdf_icon

IPP100N08S2-07

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP100N08N3IIPP100N08N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 9.7mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPL60R199CP , IPL60R299CP , IPL60R385CP , IPP100N04S2-04 , IPP100N04S2L-03 , IPP100N04S3-03 , IPP100N06S2-05 , IPP100N06S2L-05 , EMB04N03H , IPP100N08S2L-07 , IPP100N10S3-05 , IPP100P03P3L-04 , IPP120N04S3-02 , IPP120N06S4-03 , IPP22N03S4L-15 , IPP45N06S4-09 , IPP45N06S4L-08 .

 

 
Back to Top

 


 
.