IPP45P03P4L-11 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPP45P03P4L-11
Código: 4P03L11
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 58 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 VQgⓘ - Carga de la puerta: 42 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 835 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0111 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPP45P03P4L-11
IPP45P03P4L-11 Datasheet (PDF)
ipb45p03p4l-11 ipi45p03p4l-11 ipp45p03p4l-11.pdf
IPB45P03P4L-11IPI45P03P4L-11, IPP45P03P4L-11OptiMOS-P2 Power-TransistorProduct SummaryV -30 VDSR (SMD Version) 10.8mDS(on) I -45 ADFeatures P-channel - Logic Level - Enhancement modePG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanch
ipb45n06s4-09 ipi45n06s4-09 ipp45n06s4-09.pdf
IPB45N06S4-09IPI45N06S4-09, IPP45N06S4-09OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR (SMD version) 9.2mDS(on),max I 45 ADFeatures N-channel - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB45N06S4-09 PG-TO263-
ipb45n06s4l-08 ipi45n06s4l-08 ipp45n06s4l-08 ipp45n06s4l ipb45n06s4l ipi45n06s4l-08.pdf
IPB45N06S4L-08IPI45N06S4L-08, IPP45N06S4L-08OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR (SMD version) 7.9mDS(on),max I 45 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested
ipp45n04s4l-08 ipb45n04s4l-08 ipi45n04s4l-08.pdf
IPB45N04S4L-08IPI45N04S4L-08, IPP45N04S4L-08OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR (SMD version) 7.6mDS(on),max I 45 ADFeaturesPG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 N-channel - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedTyp
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918