IPP45P03P4L-11 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IPP45P03P4L-11
Маркировка: 4P03L11
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 58 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 42 nC
trⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 835 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0111 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для IPP45P03P4L-11
IPP45P03P4L-11 Datasheet (PDF)
ipb45p03p4l-11 ipi45p03p4l-11 ipp45p03p4l-11.pdf
IPB45P03P4L-11IPI45P03P4L-11, IPP45P03P4L-11OptiMOS-P2 Power-TransistorProduct SummaryV -30 VDSR (SMD Version) 10.8mDS(on) I -45 ADFeatures P-channel - Logic Level - Enhancement modePG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanch
ipb45n06s4-09 ipi45n06s4-09 ipp45n06s4-09.pdf
IPB45N06S4-09IPI45N06S4-09, IPP45N06S4-09OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR (SMD version) 9.2mDS(on),max I 45 ADFeatures N-channel - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB45N06S4-09 PG-TO263-
ipb45n06s4l-08 ipi45n06s4l-08 ipp45n06s4l-08 ipp45n06s4l ipb45n06s4l ipi45n06s4l-08.pdf
IPB45N06S4L-08IPI45N06S4L-08, IPP45N06S4L-08OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR (SMD version) 7.9mDS(on),max I 45 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested
ipp45n04s4l-08 ipb45n04s4l-08 ipi45n04s4l-08.pdf
IPB45N04S4L-08IPI45N04S4L-08, IPP45N04S4L-08OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR (SMD version) 7.6mDS(on),max I 45 ADFeaturesPG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 N-channel - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedTyp
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918