IPP47N10SL-26 Todos los transistores

 

IPP47N10SL-26 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPP47N10SL-26
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 175 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 375 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPP47N10SL-26

 

IPP47N10SL-26 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3643K  infineon
ipb47n10sl-26 ipp47n10sl-26 ipi47n10sl-26.pdf

IPP47N10SL-26 IPP47N10SL-26

IPI47N10SL-26IPP47N10SL-26, IPB47N10SL-26SIPMOS=Power-Transistor===Product SummaryFeatureVDS100 V N-ChannelRDS(on) 26 m Enhancement modeID 47 A Logic LevelP-TO262-3-1 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1 175C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Green package (lead free)Type Package Ordering Code MarkingIPP47N10SL-26 PG-TO220-3-1 S

 5.1. Size:541K  infineon
ipi47n10s-33 ipp47n10s-33 ipb47n10s-33.pdf

IPP47N10SL-26 IPP47N10SL-26

IPI47N10S-33IPP47N10S-33, IPB47N10S-33SIPMOS=Power-Transistor===Product SummaryFeatureVDS100 V N-ChannelRDS(on) 33 m Enhancement modeID 47 A 175C operating temperatureP-TO262-3-1 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1 Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingIPP47N10S-33 PG-TO220-3-1 SP0002-25706N1033IPB47N10S-33 PG-TO263-3-2 SP00

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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