Справочник MOSFET. IPP47N10SL-26

 

IPP47N10SL-26 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPP47N10SL-26
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 175 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 375 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для IPP47N10SL-26

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPP47N10SL-26 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3643K  infineon
ipb47n10sl-26 ipp47n10sl-26 ipi47n10sl-26.pdfpdf_icon

IPP47N10SL-26

IPI47N10SL-26IPP47N10SL-26, IPB47N10SL-26SIPMOS=Power-Transistor===Product SummaryFeatureVDS100 V N-ChannelRDS(on) 26 m Enhancement modeID 47 A Logic LevelP-TO262-3-1 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1 175C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Green package (lead free)Type Package Ordering Code MarkingIPP47N10SL-26 PG-TO220-3-1 S

 5.1. Size:541K  infineon
ipi47n10s-33 ipp47n10s-33 ipb47n10s-33.pdfpdf_icon

IPP47N10SL-26

IPI47N10S-33IPP47N10S-33, IPB47N10S-33SIPMOS=Power-Transistor===Product SummaryFeatureVDS100 V N-ChannelRDS(on) 33 m Enhancement modeID 47 A 175C operating temperatureP-TO262-3-1 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1 Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingIPP47N10S-33 PG-TO220-3-1 SP0002-25706N1033IPB47N10S-33 PG-TO263-3-2 SP00

Другие MOSFET... IPP100P03P3L-04 , IPP120N04S3-02 , IPP120N06S4-03 , IPP22N03S4L-15 , IPP45N06S4-09 , IPP45N06S4L-08 , IPP45P03P4L-11 , IPP47N10S-33 , IRFZ44N , IPP50N10S3L-16 , IPP70N04S3-07 , IPP70N10S3-12 , IPP70N10S3L-12 , IPP70N10SL-16 , IPP77N06S2-12 , IPP80N03S4L-03 , IPP80N03S4L-04 .

History: APT10050LVFRG | WMK023N08HGS | AP2301 | SSG4530C | NCE65TF099F | STD11NM50N

 

 
Back to Top

 


 
.