IPP47N10SL-26. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPP47N10SL-26

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 175 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 375 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IPP47N10SL-26

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPP47N10SL-26 даташит

 ..1. Size:3643K  infineon
 ipb47n10sl-26 ipp47n10sl-26 ipi47n10sl-26.pdf pdf_icon

IPP47N10SL-26

IPI47N10SL-26 IPP47N10SL-26, IPB47N10SL-26 SIPMOS =Power-Transistor = == Product Summary Feature VDS 100 V N-Channel RDS(on) 26 m Enhancement mode ID 47 A Logic Level P-TO262-3-1 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1 175 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Green package (lead free) Type Package Ordering Code Marking IPP47N10SL-26 PG-TO220-3-1 S

 5.1. Size:541K  infineon
 ipi47n10s-33 ipp47n10s-33 ipb47n10s-33.pdf pdf_icon

IPP47N10SL-26

IPI47N10S-33 IPP47N10S-33, IPB47N10S-33 SIPMOS =Power-Transistor = == Product Summary Feature VDS 100 V N-Channel RDS(on) 33 m Enhancement mode ID 47 A 175 C operating temperature P-TO262-3-1 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1 Avalanche rated dv/dt rated Type Package Ordering Code Marking IPP47N10S-33 PG-TO220-3-1 SP0002-25706 N1033 IPB47N10S-33 PG-TO263-3-2 SP00

Другие IGBT... IPP100P03P3L-04, IPP120N04S3-02, IPP120N06S4-03, IPP22N03S4L-15, IPP45N06S4-09, IPP45N06S4L-08, IPP45P03P4L-11, IPP47N10S-33, IRFZ44N, IPP50N10S3L-16, IPP70N04S3-07, IPP70N10S3-12, IPP70N10S3L-12, IPP70N10SL-16, IPP77N06S2-12, IPP80N03S4L-03, IPP80N03S4L-04