IPP77N06S2-12 Todos los transistores

 

IPP77N06S2-12 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPP77N06S2-12
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 158 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 77 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de IPP77N06S2-12 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IPP77N06S2-12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:155K  infineon
 ipp77n06s2-12 ipb77n06s2-12.pdf pdf_icon

IPP77N06S2-12

IPB77N06S2-12IPP77N06S2-12OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel - Enhancement modeR (SMD version) 11.7mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 77 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedTyp

Otros transistores... IPP45P03P4L-11 , IPP47N10S-33 , IPP47N10SL-26 , IPP50N10S3L-16 , IPP70N04S3-07 , IPP70N10S3-12 , IPP70N10S3L-12 , IPP70N10SL-16 , IRF540 , IPP80N03S4L-03 , IPP80N03S4L-04 , IPP80N04S2-04 , IPP80N04S2-H4 , IPP80N04S2L-03 , IPP80N04S3-03 , IPP80N04S3-04 , IPP80N04S3-06 .

History: CSD024

 

 
Back to Top

 


 
.