IPP015N04NG Todos los transistores

 

IPP015N04NG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPP015N04NG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4000 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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IPP015N04NG Datasheet (PDF)

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IPP015N04NG

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IPP015N04NG

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IPP015N04NG

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IPP015N04NG

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPP015N04NIIPP015N04NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 1.5mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAX

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History: SM1A50NHF | SWF15N50DA | SIRA66DP | SFP080N100AC2 | SPB100N08S2L-07 | NCEP045N10F | IRF7488PBF

 

 
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