APT8075BVR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APT8075BVR

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 260 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 800 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 11 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 270 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.75 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO247

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APT8075BVR Datasheet (PDF)

1.1. apt8075bvfrg.pdf Size:52K _update-mosfet

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1.2. apt8075bvr.pdf Size:62K _apt

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1.3. apt8075bvfr.pdf Size:72K _apt