IPP042N03LG Todos los transistores

 

IPP042N03LG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPP042N03LG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 79 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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IPP042N03LG Datasheet (PDF)

 4.1. Size:612K  infineon
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IPP042N03LG

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IPP042N03LG

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IPP042N03LG

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPP042N03LIIPP042N03LFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 4.2mEnhancement mode:Fast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE

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History: STB26NM60ND | WMX12N120D1 | SSP60R190SFD2 | IPP041N12N3 | KIA2305 | SIZ900DT | KIA2N60H-251

 

 
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