IPP048N04NG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPP048N04NG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 79 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 740 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de IPP048N04NG MOSFET
IPP048N04NG Datasheet (PDF)
ipp048n04n.pdf

pe $$ " " $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeatures 4 D R 3DE DH;E5:;@9 &( , - 8AC ,&), 4 m , A@ ?3I R ( BE;?;K76 E75:@A>A9J 8AC 5A@G7CE7CD 7 D1)R * F3>;8;76 355AC6;@9 EA $ 8AC E3C97E 3BB>;53E;A@DR ' 5:3@@7> @AC?3> >7G7>R I57>>7@E 93E7 5:3C97 I BCA6F5E ( & D n)R .7CJ >AH A@ C7D;DE3@57 D n)R G3>3@5:7 E7DE76R )4 8C77 B>3E;@9 + A", 5A?B>;3@EType #))
ipp048n04n.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPP048N04NIIPP048N04NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 4.8mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAX
ipp048n04.pdf

IPP048N04www.VBsemi.twN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, c Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS TestedRoHS0.0055 at VGS = 10 V 100COMPLIANT 40 130 nC0.0070 at VGS = 4.5 V 90APPLICATIONS Synchronous RectificationTO-220AB Power SuppliesDGSG D STop ViewN-Channel MOSFETABSOLUT
Otros transistores... IPP037N06L3G , IPP037N08N3G , IPP039N04LG , IPP040N06N3G , IPP041N04NG , IPP041N12N3G , IPP042N03LG , IPP045N10N3G , P60NF06 , IPP048N12N3G , IPP04CN10NG , IPP04N03LBG , IPP052N06L3G , IPP052NE7N3G , IPP055N03LG , IPP057N06N3G , IPP057N08N3G .
History: STM4880 | SWF2N65D | IRFB4510 | FDMS8350L | MTB22N04J3 | IPP062NE7N3
History: STM4880 | SWF2N65D | IRFB4510 | FDMS8350L | MTB22N04J3 | IPP062NE7N3



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
a940 transistor | 2sc1815 replacement | 2sc2383 | c3198 transistor | irfb3607pbf datasheet | 60n60 | 2n5485 equivalent | 2sa1941