IPP052NE7N3G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPP052NE7N3G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 805 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm

Encapsulados: TO220

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IPP052NE7N3G datasheet

 ..1. Size:844K  infineon
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IPP052NE7N3G

## ! ! # ! ! TM # A0 m D n) m x Q #4513I CG9D389>7 1>4 3?>F5BD5BC D Q H35

 3.1. Size:835K  infineon
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IPP052NE7N3G

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 3.2. Size:246K  inchange semiconductor
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IPP052NE7N3G

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IPP052NE7N3 IIPP052NE7N3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 5.2m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE M

 7.1. Size:683K  infineon
ipb049n06l3g ipp052n06l3g ipp052n06l3 ipb049n06l3 ipp052n06l3 ipb052n06l3.pdf pdf_icon

IPP052NE7N3G

pe IPB049N06L3 G IPP052N06L3 G 3 Power-Transistor Product Summary Features V D R #562= 7@C 9 89 7C6BF6?4J DH E49 ?8 2?5 DJ?4 C64 R 4 7 m - @? >2I -' R ) AE > K65 E649?@=@8J 7@C 4@?G6CE6CD I D R I46==6?E 82E6 492C86 I R AC@5F4E ) ' D n) R ( 492??6= =@8 4 =6G6= R 2G2=2?496 E6DE65 R *3 7C66 A=2E ?8 , @"- 4@>A= 2?E 1) R + F2= 7 65 244@C5 ?8 E@ $ 7@C E2C86E 2AA= 42E

Otros transistores... IPP041N12N3G, IPP042N03LG, IPP045N10N3G, IPP048N04NG, IPP048N12N3G, IPP04CN10NG, IPP04N03LBG, IPP052N06L3G, 2SK3568, IPP055N03LG, IPP057N06N3G, IPP057N08N3G, IPP05CN10LG, IPP05CN10NG, IPP062NE7N3G, IPP065N03LG, IPP065N04NG