IPP065N03LG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPP065N03LG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 720 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPP065N03LG
Principales características: IPP065N03LG
ipp065n03l.pdf
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ipp065n03l.pdf
INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IPP065N03L IIPP065N03L FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 6.5m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE
ipp065n04n.pdf
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ipb065n06lg ipp065n06lg.pdf
IPB065N06L G IPP065N06L G Power-Transistor Product Summary Features V D P ?A 61BC BF9C389>7 3?>E5AC5AB 1>4 BH>3 A53C96931C9?> R m , ?> =1G P ( 381>>581>35=5>C
Otros transistores... IPP052N06L3G , IPP052NE7N3G , IPP055N03LG , IPP057N06N3G , IPP057N08N3G , IPP05CN10LG , IPP05CN10NG , IPP062NE7N3G , 20N50 , IPP065N04NG , IPP065N06LG , IPP06CN10LG , IPP06CN10NG , IPP070N06LG , IPP070N06NG , IPP070N08N3G , IPP072N10N3G .
Liste
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MOSFET: AP3100A | AP30P06K | AP30P06 | AP30N04K | AP30N03K | AP30H80K | AP30H60K | AP30H220G | AP30H180K | AP30H150Q | AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S
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