IPP070N06LG Todos los transistores

 

IPP070N06LG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPP070N06LG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 750 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: TO220

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IPP070N06LG datasheet

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IPP070N06LG

IPB070N06N G IPP070N06N G IPI070N06N G Power-Transistor Product Summary Features V D P &?F 71C5 381A75 6?A 61BC BF9C389>7 1@@B R 7 m , ?> =1G ,' E5AB9?> P ( 381>>581>35=5>C >?A=1

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IPP070N06LG

IPP070N08N3 G IPI070N08N3 G IPB067N08N3 G 3 Power-Transistor Product Summary Features V D Q #4513I CG9D389>7 1>4 CI>3 B53 R 7 m , ?> =1H ,& Q ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC I D Q H35>5?B=1

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IPP070N06LG

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