IPP320N20N3G Todos los transistores

 

IPP320N20N3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPP320N20N3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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IPP320N20N3G Datasheet (PDF)

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IPP320N20N3G

IPB320N20N3 G IPP320N20N3 GIPI320N20N3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 200 VDS N-channel, normal levelR 32mDS(on),max Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 34 AD Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target applica

 ..2. Size:731K  infineon
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IPP320N20N3G

$ " " $$ " " $ " " TM $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeatures 200 VDSQ ' 381>>5?B=1

 3.1. Size:245K  inchange semiconductor
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IPP320N20N3G

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP320N20N3IIPP320N20N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 32mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONIdeal for high-frequency switching and synchronous rectificationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

Otros transistores... IPP16CN10LG , IPP16CN10NG , IPP180N10N3G , IPP200N15N3G , IPP200N25N3G , IPP230N06L3G , IPP260N06N3G , IPP26CN10NG , 10N60 , IPP35CN10NG , IPP50CN10NG , IPP50R140CP , IPP50R199CP , IPP50R250CP , IPP50R299CP , IPP50R350CP , IPP50R380CE .

History: AM1420N | IPD110N12N3 | BUZ342 | MS23N22

 

 
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