IPP60R520CP MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IPP60R520CP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPP60R520CP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 66 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm

Encapsulados: TO220

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IPP60R520CP datasheet

..1. Size:552K infineon
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IPP60R520CP C IMOSTM # A0 9 for industrial grade applications 688DG9>CC6CI; Halogen free mold compound PG TO220

..2. Size:245K inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor IPP60R520CP IIPP60R520CP FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.52 Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Ultra low gate charge High peak current capability ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a

4.1. Size:917K infineon
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MOSFET + =L9D - PA

5.1. Size:1261K infineon
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MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS E6 600V CoolMOS E6 Power Transistor IPx60R520E6 Data Sheet Rev. 2.0, 2010-04-09 Final Industrial & Multimarket 600V CoolMOS E6 Power Transistor IPP60R520E6, IPA60R520E6 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle a

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