Справочник MOSFET. IPP60R520CP

 

IPP60R520CP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPP60R520CP
   Маркировка: 6R520P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IPP60R520CP

 

 

IPP60R520CP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:552K  infineon
 ipp60r520cp.pdf

IPP60R520CP IPP60R520CP

IPP60R520CPCIMOSTM #:A0:9 for industrial grade applications 688DG9>CC6CI; Halogen free mold compoundPGTO220

 ..2. Size:245K  inchange semiconductor
 ipp60r520cp.pdf

IPP60R520CP IPP60R520CP

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP60R520CPIIPP60R520CPFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.52Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONUltra low gate chargeHigh peak current capabilityABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

 4.1. Size:917K  infineon
 ipp60r520c6 2.0.pdf

IPP60R520CP IPP60R520CP

MOSFET+ =L9D - PA

 5.1. Size:1261K  infineon
 ipp60r520e6.pdf

IPP60R520CP IPP60R520CP

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS E6600V CoolMOS E6 Power TransistorIPx60R520E6Data SheetRev. 2.0, 2010-04-09FinalIndustrial & Multimarket600V CoolMOS E6 Power Transistor IPP60R520E6, IPA60R520E61 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principlea

 5.2. Size:1048K  infineon
 ipp60r520e6 ipa60r520e6.pdf

IPP60R520CP IPP60R520CP

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS E6 600V600V CoolMOS E6 Power TransistorIPx60R520E6Data SheetRev. 2.2FinalPower Management & Multimarket600V CoolMOS E6 Power Transistor IPP60R520E6, IPA60R520E61 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principleand p

 5.3. Size:244K  inchange semiconductor
 ipp60r520e6.pdf

IPP60R520CP IPP60R520CP

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP60R520E6IIPP60R520E6FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.52Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONProvide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while notsacrificing ease of useABSOL

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IPP65R190E6

 

 
Back to Top