IPP80CN10NG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IPP80CN10NG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPP80CN10NG

IPP80CN10NG Datasheet (PDF)

..1. Size:1028K infineon
ipb79cn10ng ipd78cn10ng ipi80cn10ng ipp80cn10ng.pdf

IPB79CN10N G IPD78CN10N GIPI80CN10N G IPP80CN10N G OptiMOS2 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V N-channel, normal levelRDS(on),max (TO252) 78 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 13 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1)

4.1. Size:705K infineon
ipb80cn10n ipd78cn10n ipi80cn10n ipp80cn10n ipu78cn10n.pdf

IPB80CN10N G IPD78CN10N GIPI80CN10N G IPP80CN10N G IPU78CN10N GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 100 VDS N-channel, normal levelR 78mDS(on),max (TO252) Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 13 AD Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified accordi

4.2. Size:534K infineon
ipb79cn10n-g ipd78cn10n-g ipi80cn10n-g ipp80cn10n-g.pdf

IPB79CN10N G IPD78CN10N GIPI80CN10N G IPP80CN10N G OptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 100 VDS N-channel, normal levelR 78mDS(on),max (TO252) Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 13 AD Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC

4.3. Size:246K inchange semiconductor
ipp80cn10n.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPP80CN10NIIPP80CN10NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.08Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAX

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: