IPS031N03LG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPS031N03LG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 94 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0031 Ohm

Encapsulados: TO251

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IPS031N03LG datasheet

 ..1. Size:671K  infineon
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IPS031N03LG

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IPS031N03LG

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 4.2. Size:261K  inchange semiconductor
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IPS031N03LG

isc N-Channel MOSFET Transistor IPS031N03L FEATURES With TO-251(IPAK) packaging High speed switching Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply DC-DC converters Motor control Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE

 8.1. Size:128K  international rectifier
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IPS031N03LG

Data Sheet No.PD 60151-J IPS031G/IPS032G SINGLE/DUAL FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH Features Product Summary Over temperature shutdown Over current shutdown Rds(on) 70m (max) Active clamp Low current & logic level input V clamp 50V E.S.D protection Ishutdown 12A Description Ton/Toff 1.5 s The IPS031G/IPS032G are fully protected single/dual low side SM

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