IPS031N03LG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPS031N03LG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0031 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для IPS031N03LG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPS031N03LG даташит

 ..1. Size:671K  infineon
 ipd031n03lg ips031n03lg.pdf pdf_icon

IPS031N03LG

pe % # ! %' # ! % (>.;?6?@ %>E Features V D R !3DE DH;E5 ;@9 (* .! / 8AC .(+. R 1 m D n) m x R * BE;?;K76 E75 @A>A9J 8AC 5A@G7CE7CD I D 1) R , F3>;8;76 355AC6;@9 EA % 8AC E3C97E 3BB>;53E;A@D R ) 5 3@@7> >A9;5 >7G7> R I57>>7@E 93E7 5 3C97 I R BCA6F5E !* ( D n) R 07CJ >AH A@ C7D;DE3@57 R D n) R G3>3@5 7 C3E76 R +4 8C77 B>3E;@9 - A#. 5A?B>;3@E R #

 4.1. Size:665K  infineon
 ips031n03l.pdf pdf_icon

IPS031N03LG

pe % # ! %' # ! % (>.;?6?@ %>E Features V D R !3DE DH;E5 ;@9 (* .! / 8AC .(+. R 1 m D n) m x R * BE;?;K76 E75 @A>A9J 8AC 5A@G7CE7CD I D 1) R , F3>;8;76 355AC6;@9 EA % 8AC E3C97E 3BB>;53E;A@D R ) 5 3@@7> >A9;5 >7G7> R I57>>7@E 93E7 5 3C97 I R BCA6F5E !* ( D n) R 07CJ >AH A@ C7D;DE3@57 R D n) R G3>3@5 7 C3E76 R +4 8C77 B>3E;@9 - A#. 5A?B>;3@E R #

 4.2. Size:261K  inchange semiconductor
 ips031n03l.pdf pdf_icon

IPS031N03LG

isc N-Channel MOSFET Transistor IPS031N03L FEATURES With TO-251(IPAK) packaging High speed switching Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply DC-DC converters Motor control Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE

 8.1. Size:128K  international rectifier
 ips031g.pdf pdf_icon

IPS031N03LG

Data Sheet No.PD 60151-J IPS031G/IPS032G SINGLE/DUAL FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH Features Product Summary Over temperature shutdown Over current shutdown Rds(on) 70m (max) Active clamp Low current & logic level input V clamp 50V E.S.D protection Ishutdown 12A Description Ton/Toff 1.5 s The IPS031G/IPS032G are fully protected single/dual low side SM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPP70N04S4-06, IPP80CN10NG, IPP80N04S4-03, IPP90R1K0C3, IPP90R1K2C3, IPP90R340C3, IPP90R500C3, IPP90R800C3, 20N50, IPS040N03LG, IPS050N03LG, IPS060N03LG, IPS075N03LG, IPS090N03LG, IPS105N03LG, IPS110N12N3G, IPS118N10NG