Справочник MOSFET. IPS031N03LG

 

IPS031N03LG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPS031N03LG
   Маркировка: 031N03L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1400 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0031 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для IPS031N03LG

 

 

IPS031N03LG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:671K  infineon
 ipd031n03lg ips031n03lg.pdf

IPS031N03LG IPS031N03LG

pe % # ! %' # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesV D R !3DE DH;E5:;@9 (* .! / 8AC .(+.R 1m D n) m xR * BE;?;K76 E75:@A>A9J 8AC 5A@G7CE7CDI D1)R , F3>;8;76 355AC6;@9 EA % 8AC E3C97E 3BB>;53E;A@DR ) 5:3@@7> >A9;5 >7G7>R I57>>7@E 93E7 5:3C97 I R BCA6F5E !* ( D n)R 07CJ >AH A@ C7D;DE3@57 RD n)R G3>3@5:7 C3E76R +4 8C77 B>3E;@9 - A#. 5A?B>;3@ER #

 4.1. Size:665K  infineon
 ips031n03l.pdf

IPS031N03LG IPS031N03LG

pe % # ! %' # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesV D R !3DE DH;E5:;@9 (* .! / 8AC .(+.R 1m D n) m xR * BE;?;K76 E75:@A>A9J 8AC 5A@G7CE7CDI D1)R , F3>;8;76 355AC6;@9 EA % 8AC E3C97E 3BB>;53E;A@DR ) 5:3@@7> >A9;5 >7G7>R I57>>7@E 93E7 5:3C97 I R BCA6F5E !* ( D n)R 07CJ >AH A@ C7D;DE3@57 RD n)R G3>3@5:7 C3E76R +4 8C77 B>3E;@9 - A#. 5A?B>;3@ER #

 4.2. Size:261K  inchange semiconductor
 ips031n03l.pdf

IPS031N03LG IPS031N03LG

isc N-Channel MOSFET Transistor IPS031N03LFEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

 8.1. Size:128K  international rectifier
 ips031g.pdf

IPS031N03LG IPS031N03LG

Data Sheet No.PD 60151-JIPS031G/IPS032GSINGLE/DUAL FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCHFeatures Product Summary Over temperature shutdown Over current shutdownRds(on) 70m (max) Active clamp Low current & logic level inputV clamp 50V E.S.D protectionIshutdown 12ADescriptionTon/Toff 1.5sThe IPS031G/IPS032G are fully protected single/duallow side SM

 8.2. Size:135K  international rectifier
 ips031.pdf

IPS031N03LG IPS031N03LG

Data Sheet No.PD 60150-J( )IPS031 SFULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCHProduct SummaryFeatures Over temperature shutdown Over current shutdownRds(on) 60m (max) Active clamp Low current & logic level input E.S.D protection V clamp 50VIshutdown 12ADescriptionTon/Toff 1.5sThe IPS031/IPS031S are fully protected three terminalSMART POWER MOSFETs tha

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top