IPS135N03LG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPS135N03LG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm

Encapsulados: TO251

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IPS135N03LG datasheet

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IPS135N03LG

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IPS135N03LG

Type IPD135N03L G IPF135N03L G IPS135N03L G IPU135N03L G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features V 30 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 13.5 m DS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 30 A D Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very

Otros transistores... IPS050N03LG, IPS060N03LG, IPS075N03LG, IPS090N03LG, IPS105N03LG, IPS110N12N3G, IPS118N10NG, IPS12CN10LG, IRFB31N20D, IPS50R520CP, IPU039N03LG, IPU050N03LG, IPU060N03LG, IPU075N03LG, IPU090N03LG, IPU103N08N3G, IPU135N03LG