IPS135N03LG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPS135N03LG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для IPS135N03LG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPS135N03LG даташит

 ..1. Size:1397K  infineon
 ipd135n03lg ipf135n03lg ips135n03lg ipu135n03lg.pdf pdf_icon

IPS135N03LG

pe % # ! % # ! %' # ! %) # ! % (>.;?6?@ %>E Features D S !4EF EI

 4.1. Size:537K  infineon
 ipd135n03l ipf135n03l ips135n03l ipu135n03l.pdf pdf_icon

IPS135N03LG

Type IPD135N03L G IPF135N03L G IPS135N03L G IPU135N03L G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features V 30 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 13.5 m DS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 30 A D Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very

Другие IGBT... IPS050N03LG, IPS060N03LG, IPS075N03LG, IPS090N03LG, IPS105N03LG, IPS110N12N3G, IPS118N10NG, IPS12CN10LG, IRFB31N20D, IPS50R520CP, IPU039N03LG, IPU050N03LG, IPU060N03LG, IPU075N03LG, IPU090N03LG, IPU103N08N3G, IPU135N03LG