Справочник MOSFET. IPS135N03LG

 

IPS135N03LG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPS135N03LG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для IPS135N03LG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPS135N03LG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1397K  infineon
 ipd135n03lg ipf135n03lg ips135n03lg ipu135n03lg.pdf pdf_icon

IPS135N03LG

pe % # ! % # ! %' # ! %) # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD S !4EF EI

 4.1. Size:537K  infineon
 ipd135n03l ipf135n03l ips135n03l ipu135n03l.pdf pdf_icon

IPS135N03LG

Type IPD135N03L G IPF135N03L GIPS135N03L G IPU135N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 13.5mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 30 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very

Другие MOSFET... IPS050N03LG , IPS060N03LG , IPS075N03LG , IPS090N03LG , IPS105N03LG , IPS110N12N3G , IPS118N10NG , IPS12CN10LG , IRF730 , IPS50R520CP , IPU039N03LG , IPU050N03LG , IPU060N03LG , IPU075N03LG , IPU090N03LG , IPU103N08N3G , IPU135N03LG .

 

 
Back to Top

 


 
.