IPS50R520CP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPS50R520CP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 66 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 31 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm

Encapsulados: TO251

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IPS50R520CP datasheet

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IPS50R520CP

IPS50R520CP C IMOSTM $;B1= '=- >5>?;= $=;0@/? &@99-=D Features @Tjmax 550 V !0 V )DL HI ;>I / M . , + g 0.520 DS(on) max V 2 AIG6 ADL IN V -7 ;G A 69 EA6I>C6CI 1) PG TO251 V . J6Ai;> 9 688DG9>C >53 10 2;= V %6G9 6C9 HD;IHL>I8=>C

Otros transistores... IPS060N03LG, IPS075N03LG, IPS090N03LG, IPS105N03LG, IPS110N12N3G, IPS118N10NG, IPS12CN10LG, IPS135N03LG, STP65NF06, IPU039N03LG, IPU050N03LG, IPU060N03LG, IPU075N03LG, IPU090N03LG, IPU103N08N3G, IPU135N03LG, IPU135N08N3G