IPS50R520CP Todos los transistores

 

IPS50R520CP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPS50R520CP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 66 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 31 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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IPS50R520CP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:605K  infineon
 ips50r520cp.pdf pdf_icon

IPS50R520CP

IPS50R520CPCIMOSTM $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeatures @Tjmax 550 V!0 V )DL:HI ;>I / M ., + g 0.520 DS(on) maxV 2 AIG6 ADL INV -7 ;G:: A:69 EA6I>C6CI1)PGTO251V . J6Ai;>:9 688DG9>C >53:10 2;= V %6G9 6C9 HD;IHL>I8=>C

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History: NCE60N2K1R | VBL1154N | NCEAP01P35AK | VBL1310 | VBL1203M

 

 
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