IPS50R520CP Todos los transistores

 

IPS50R520CP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPS50R520CP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 66 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 31 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

 Búsqueda de reemplazo de IPS50R520CP MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IPS50R520CP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:605K  infineon
 ips50r520cp.pdf pdf_icon

IPS50R520CP

IPS50R520CPCIMOSTM $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeatures @Tjmax 550 V!0 V )DL:HI ;>I / M ., + g 0.520 DS(on) maxV 2 AIG6 ADL INV -7 ;G:: A:69 EA6I>C6CI1)PGTO251V . J6Ai;>:9 688DG9>C >53:10 2;= V %6G9 6C9 HD;IHL>I8=>C

Otros transistores... IPS060N03LG , IPS075N03LG , IPS090N03LG , IPS105N03LG , IPS110N12N3G , IPS118N10NG , IPS12CN10LG , IPS135N03LG , STP65NF06 , IPU039N03LG , IPU050N03LG , IPU060N03LG , IPU075N03LG , IPU090N03LG , IPU103N08N3G , IPU135N03LG , IPU135N08N3G .

History: OSG70R600AF | GSM3981 | CJPF03N80

 

 
Back to Top

 


 
.