IPS50R520CP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IPS50R520CP
Маркировка: 5R520P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 66 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7.1 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 13 nC
Время нарастания (tr): 14 ns
Выходная емкость (Cd): 31 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.52 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для IPS50R520CP
IPS50R520CP Datasheet (PDF)
..1. Size:605K infineon
ips50r520cp.pdf
ips50r520cp.pdf
IPS50R520CPCIMOSTM $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeatures @Tjmax 550 V!0 V )DL:HI ;>I / M ., + g 0.520 DS(on) maxV 2 AIG6 ADL INV -7 ;G:: A:69 EA6I>C6CI1)PGTO251V . J6Ai;>:9 688DG9>C >53:10 2;= V %6G9 6C9 HD;IHL>I8=>C
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
