IPS50R520CP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPS50R520CP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для IPS50R520CP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPS50R520CP даташит

 ..1. Size:605K  infineon
 ips50r520cp.pdf pdf_icon

IPS50R520CP

IPS50R520CP C IMOSTM $;B1= '=- >5>?;= $=;0@/? &@99-=D Features @Tjmax 550 V !0 V )DL HI ;>I / M . , + g 0.520 DS(on) max V 2 AIG6 ADL IN V -7 ;G A 69 EA6I>C6CI 1) PG TO251 V . J6Ai;> 9 688DG9>C >53 10 2;= V %6G9 6C9 HD;IHL>I8=>C

Другие IGBT... IPS060N03LG, IPS075N03LG, IPS090N03LG, IPS105N03LG, IPS110N12N3G, IPS118N10NG, IPS12CN10LG, IPS135N03LG, STP65NF06, IPU039N03LG, IPU050N03LG, IPU060N03LG, IPU075N03LG, IPU090N03LG, IPU103N08N3G, IPU135N03LG, IPU135N08N3G