Справочник MOSFET. IPS50R520CP

 

IPS50R520CP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPS50R520CP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для IPS50R520CP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPS50R520CP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:605K  infineon
 ips50r520cp.pdf pdf_icon

IPS50R520CP

IPS50R520CPCIMOSTM $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeatures @Tjmax 550 V!0 V )DL:HI ;>I / M ., + g 0.520 DS(on) maxV 2 AIG6 ADL INV -7 ;G:: A:69 EA6I>C6CI1)PGTO251V . J6Ai;>:9 688DG9>C >53:10 2;= V %6G9 6C9 HD;IHL>I8=>C

Другие MOSFET... IPS060N03LG , IPS075N03LG , IPS090N03LG , IPS105N03LG , IPS110N12N3G , IPS118N10NG , IPS12CN10LG , IPS135N03LG , IRFZ48N , IPU039N03LG , IPU050N03LG , IPU060N03LG , IPU075N03LG , IPU090N03LG , IPU103N08N3G , IPU135N03LG , IPU135N08N3G .

History: QM3009S | RJK2017DPP | BSC072N03LDG | NCE60N670K | SL2308 | PMZ250UN

 

 
Back to Top

 


 
.