IPW50R299CP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPW50R299CP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.299 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de IPW50R299CP MOSFET
IPW50R299CP Datasheet (PDF)
ipw50r299cp.pdf

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History: EC4407KF | CS7N60CF | NTMFD4C86N
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